Номер детали производителя : | FGP50DHE3/73 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 5A GP20 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FGP50DHE3/73.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FGP50DHE3/73 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 5A GP20 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | FGP50DHE3/73.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 5 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | GP20 |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Обратное время восстановления (ТИР) | 35 ns |
Упаковка / | DO-201AA, DO-27, Axial |
Упаковка | Tape & Box (TB) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 5A |
Емкостной @ В.Р., F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | FGP50 |
IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DIODE GEN PURP 150V 5A GP20
IGBT 600V 10A 83W TO220
IGBT 600V 20A 42W TO-220F
DIODE GEN PURP 200V 5A GP20
IGBT 600V 10A 81W TO220