Номер детали производителя : | VMMBZ16C1DD1HG3-08 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 9869 pcs Stock |
Описание : | 14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VMMBZ16C1DD1HG3-08.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VMMBZ16C1DD1HG3-08 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | 14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 9869 pcs |
Спецификация | VMMBZ16C1DD1HG3-08.pdf |
Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое) | 14V (Max) |
Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp | 27V |
Напряжение - пробой (мин.) | 16.2V |
Тип | Zener |
Поставщик Упаковка устройства | DFN1006-2B |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Защита линий электропередач | No |
Мощность - пиковый импульс | 15W |
Упаковка / | 0402 (1006 Metric) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs) | 650mA |
Емкость @ Частота | 14.5pF @ 1MHz |
Двунаправленные каналы | 1 |
Базовый номер продукта | VMMBZ16C |
Приложения | Automotive |
MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1
MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
14V;IR=0.1A;IP=4A;P=108W;CD=17PF