Номер детали производителя : | SI4464DY-T1-E3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI4464DY-T1-E3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI4464DY-T1-E3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SI4464DY-T1-E3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 2.2A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 1.5W (Ta) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Базовый номер продукта | SI4464 |
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
P-CHANNEL MOSFET
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC