Номер детали производителя : | SI7430DP-T1-GE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI7430DP-T1-GE3(1).pdfSI7430DP-T1-GE3(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI7430DP-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SI7430DP-T1-GE3(1).pdfSI7430DP-T1-GE3(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 5.2W (Ta), 64W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1735 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 26A (Tc) |
Базовый номер продукта | SI7430 |
MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8