Номер детали производителя : | SIR680LDP-T1-RE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | 6267 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SIR680LDP-T1-RE3(1).pdfSIR680LDP-T1-RE3(2).pdfSIR680LDP-T1-RE3(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SIR680LDP-T1-RE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 6267 pcs |
Спецификация | SIR680LDP-T1-RE3(1).pdfSIR680LDP-T1-RE3(2).pdfSIR680LDP-T1-RE3(3).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7250 pF @ 40 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31.8A (Ta), 130A (Tc) |
Базовый номер продукта | SIR680 |
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO
MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
EMITTER IR 875NM 65MA SMD
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8