Номер детали производителя : | SISH110DN-T1-GE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SISH110DN-T1-GE3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SISH110DN-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SISH110DN-T1-GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8SH |
Серии | TrenchFET® Gen II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 21.1A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 1.5W (Ta) |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8SH |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13.5A (Ta) |
Базовый номер продукта | SISH110 |
MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK