Номер детали производителя : | W949D6DBHX5E |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
Состояние на складе : | 386 pcs Stock |
Описание : | IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W949D6DBHX5E.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W949D6DBHX5E |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 386 pcs |
Спецификация | W949D6DBHX5E.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.7 V ~ 1.95 V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR |
Поставщик Упаковка устройства | 60-VFBGA (8x9) |
Серии | - |
упаковка | Tray |
Упаковка / | 60-TFBGA |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 512Mb (32M x 16) |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9) |
Тактовая частота | 200MHz |
Время доступа | 5ns |
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA