FGD5T120SH

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для FGD5T120SH, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. FGD5T120SH от ON Semiconductor представляет собой высокопроизводительный, нормально-сключенный траншевой ворот IGBT, предназначенный для надежных и эффективных применений переключения. Это устройство имеет оптимизированную конструкцию ячейки, которая обеспечивает низкое напряжение в состоянии состояния (VCE (SAT)), сохраняя при этом отличную прочность на короткие сроки. Его максимальное напряжение коллекционера-эмиттер (VCES) 1200 В делает его подходящим для высоковольтных систем.

Ключевые преимущества включают снижение потери переключения из-за быстрого отключения и минимизированного тока хвоста, что повышает общую эффективность системы. FGD5T120SH также предлагает превосходные тепловые характеристики, обеспечивая надежную работу в требовательных условиях. Он поддерживает высокие возможности тока с низким падением напряжения вперед, что делает его идеальным для промышленных моторных дисков, систем возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы и электростанции (EV). Его компактная площадь и высокая надежность еще больше способствуют экономии пространства в Power Electronics.Request QUOTE FGD5T120SH и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.