MBT3904DW1T1H

Подробности продукции

Если вам требуется поставка MBT3904DW1T1H, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. MBT3904DW1T1H - это передовые логические ворота CMOS, изготовленные на полупроводнике, известный лидер в полупроводнике. Это устройство представляет собой низкую мощную двойную встроенную пакет (DIP) N-канальный режим улучшения полевого транзистора (FET), предназначенный для оптимальной производительности и энергоэффективности. Он оснащен низким RDS (ON) обычно 10 Ом, обеспечивая минимальное падение напряжения и высокую способность обработки тока.

Ключевые характеристики включают максимальное напряжение сливного источника (VDS) 60 В, максимальное напряжение источника затвора (VGS) 10 В и максимальный непрерывный ток дренажа (ID) 8,8А. Его компактный пакет поверхностного монтажа SO-8 обеспечивает плотную интеграцию схемы, в то время как его низкая входная емкость способствует более высокой скорости переключения.

В основном используемые в приложениях управления питанием, MBT3904DW1T1H идеально подходит для цепей нагрузки, систем управления батарейными батарей и управления двигателем в переносных устройствах, а также для общего назначения задач переключения и усиления, где низкое энергопотребление и высокая надежность имеют решающее значение. Его надежный дизайн и эффективная производительность делают его предпочтительным выбором для инженеров в различных секторах. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.