MUN2112T1G

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. MUN2112T1G из ON Semiconductor представляет собой высокопроизводительный, двойной n-канал MOSFET в пакете Compact-23. Это устройство интегрирует два МОСФЕТА, предлагая низкую настойчивости (RDS (ON)) для эффективного переключения и минимальной потери мощности. MUN2112T1G оснащен сверхнизким зарядом затвора, что обеспечивает быстрые скорости переключения, что имеет решающее значение для снижения потерь переключения в высокочастотных приложениях.

Ключевые характеристики включают максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 30 В, непрерывный канатный ток (IDS) до 1,8А и чрезвычайно низкий RDS (ON) 0,14 Ом при VGS = 4,5 В. Его небольшая площадь делает его идеальным для ограниченных космических конструкций, сохраняя при этом надежную производительность.

Этот MOSFET широко используется в различных приложениях, таких как потребительская электроника, автомобильные системы и промышленное управление. Общее использование включает переключение нагрузки, управление двигателем, переключение сигнала и системы управления аккумуляторами. Надежность и эффективность MUN2112T1G делают его предпочтительным выбором для инженеров, ищущих оптимальную производительность в компактных и требовательных проектах цепей. Доставка в течение 24 часов мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.