Номер детали производителя : | MUN5212DW1T1G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 60030 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MUN5212DW1T1G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MUN5212DW1T1G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 60030 pcs |
Спецификация | MUN5212DW1T1G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 22 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 22 kOhms |
Мощность - Макс | 250mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Другие названия | MUN5212DW1T1G-ND MUN5212DW1T1GOSTR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 40 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | - |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | MUN52**DW1T |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3