NGTB30N120IHSWG

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. Это устройство имеет ультра-низкое сопротивление в штате (RDS (ON)) 30 мгмм в VGS = 15 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности применения в преобразовании питания. Его надежная лавина повышает надежность в аномальных условиях. Быстрая скорость переключения чипа снижает потери переключения, что делает его подходящим для высокочастотных операций.

Этот MOSFET оптимизирован для использования в промышленных и автомобильных приложениях, таких как моторные приводы, солнечные инверторы и преобразователи DC-DC. Он поддерживает высокие токовые нагрузки и предлагает превосходные тепловые характеристики, обеспечивая компактные проектные решения. NGTB30N120IHSWG упакован в корпус до 247, обеспечивая превосходное рассеяние тепла и простоту интеграции в существующие системы. Его превосходные электрические характеристики и прочная конструкция делают его идеальным выбором для требовательных приложений управления энергоснабжением. Цена и время для NGTB30N120IHSWG в зависимости от количества, необходимого, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.