NGTB40N120FL2WAG

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN NGTB40N120FL2WAG имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Для требовательных приложений управления энергетикой. Ключевые особенности включают низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 0,04 Ом при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность. Устройство поддерживает напряжение источника дренажа (VDS) 1200 В, что делает его подходящим для высоковольтных систем. Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, улучшая общую производительность системы.

Этот MOSFET превосходит в автомобильных, промышленных и возобновляемых энергии, таких как инверторы электромобилей, солнечные микроинвертеры и системы управления двигателем. Он работает эффективно в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +175 ° C), обеспечивая надежность в суровых условиях. Пакет TO-247 предлагает надежную тепловую производительность и легкую интеграцию в существующие проекты. В целом, NGTB40N120FL2WAG обеспечивает баланс высокого напряжения, низкий RDS (ON) и быстрое переключение, что делает его идеальным выбором для преобразования мощности и управления, требующих высокой эффективности и надежности. Цена и время заказа для NGTB40N120FL2WAG. Требуется, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда по продажам предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничать с вами.