Номер детали производителя : | NSBA123JDXV6T1 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 5300 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NSBA123JDXV6T1.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NSBA123JDXV6T1 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 5300 pcs |
Спецификация | NSBA123JDXV6T1.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-563 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 2.2 kOhms |
Мощность - Макс | 500mW |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Другие названия | NSBA123JDXV6TOSCT |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Частота - Переход | - |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | NSBA1* |
TRANS PREBIAS DUAL PNP
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA123JF3 - DIGITAL BJT NPN - P
NSBA123JDP6 - DIGITAL BJT 2 PNP
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563