| Номер детали производителя : | NSVBC114EDXV6T1G | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 45250 pcs Stock |
| Описание : | TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NSVBC114EDXV6T1G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NSVBC114EDXV6T1G |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 45250 pcs |
| Спецификация | NSVBC114EDXV6T1G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-563 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
| Мощность - Макс | 500mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 14 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | - |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |







TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
DIODE ARRAY GP 99V 200MA SC70
SS SOT563 SRF MT RST XSTR
DIODE GEN PURP 70V 200MA SC70-3
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75