NTD3808N-1G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN NTD3808N-1G имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. MOSFET-режим улучшения, предназначенный для высокоэффективных приложений переключения питания. Это устройство имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 6,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. При напряжении разбивки источника дренажного источника (BVDSS) он хорошо подходит для схем низкого напряжения, таких как преобразователи DC-DC, управление двигателями и системы управления аккумуляторами.

NTD3808N-1G предлагает быстрые скорости переключения, снижение потерь переключения и повышение общей производительности в требовательных приложениях. Его термически улучшенный пакет SO-8 облегчает эффективное тепловое рассеяние, что позволяет обеспечить надежную работу в условиях высокого тока. Устройство также включает в себя встроенную защиту ESD для защиты от электростатического повреждения во время обработки и сборки.

Инженеры могут полагаться на NTD3808N-1G для надежных, высокопроизводительных решений в области потребительской электроники, автомобильной и промышленной применения, где компактный проектирование и энергоэффективность имеют решающее значение. О приверженности полупроводника качеству гарантирует, что этот MOSFET соответствует строгим стандартам надежности, что делает его предпочтительным выбором для дизайнеров, ищущих оптимальное управление питанием. Цена и время по выполнению заказа для NTD3808N-1G в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте свой запрос нам, наша команда продаж, группа продаж. предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.