Номер детали производителя : | NVH4L020N120SC1 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 625 pcs Stock |
Описание : | SICFET N-CH 1200V 102A TO247 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NVH4L020N120SC1(1).pdfNVH4L020N120SC1(2).pdfNVH4L020N120SC1(3).pdfNVH4L020N120SC1(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NVH4L020N120SC1 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | SICFET N-CH 1200V 102A TO247 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 625 pcs |
Спецификация | NVH4L020N120SC1(1).pdfNVH4L020N120SC1(2).pdfNVH4L020N120SC1(3).pdfNVH4L020N120SC1(4).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Vgs (макс.) | +25V, -15V |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247-4L |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 510W (Tc) |
Упаковка / | TO-247-4 |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2943 pF @ 800 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 220 nC @ 20 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 102A (Tc) |
Базовый номер продукта | NVH4L020 |
SIC MOSFET 900V TO247-4L
SIC MOS TO247-4L 750V
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
SWITCH THMBSTK CASTLE 50MA 12V
SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
SWITCH THMBSTK CASTLE 50MA 12V
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
SIC MOS TO247-4L 650V
SIC MOS TO247-4L 650V