NVTJD4105CT1G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NVTJD4105CT1G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Низковольтный MOSFET, предназначенный для эффективного управления питанием и переключения. Это устройство имеет ультра-низкую на растяжении (RDS (ON)) 4,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. NVTJD4105CT1G работает в диапазоне напряжений от -0,3 В до 20 В, что делает его подходящим для широкого спектра цепей, включая преобразователи DC -DC, управление двигателем и нагрузочные переключатели.

Этот MOSFET, расположенный в компактном пакете TO-252 (DPAK), предлагает превосходные тепловые характеристики и устойчивость к электрическому перегрузке. Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, что способствует более высокой общей эффективности систем преобразования питания. NVTJD4105CT1G также поддерживает высокочастотную работу, обеспечивая меньшие внешние компоненты и более компактные конструкции.

Благодаря его превосходной надежности и долговечности, NVTJD4105CT1G идеально подходит для автомобильных, промышленных и потребительских электронных приложений, где экономясь, высокоэффективность и надежная производительность. На полупроводнике этот продукт обеспечивает строгие стандарты качества, предоставляя клиентам надежное и высокопроизводительное решение. Проверка цитата nvtjd4105ct1g и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.