PCS3P7303AG-08TR

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN PCS3P7303AG-08TR, к счастью, вы попали в нужно Высокопроизводительный, низкопроизводительный режим улучшения P-канала MOSFET. Это устройство оснащено сверхнизким настойчивости (RDS (ON)) 2,5 МОм при VGS = -10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и эффективную доставку мощности. Его максимальное напряжение источника дренажа (VDS) оценивается в 30 В, что делает его подходящим для широкого диапазона применений, где надежность и эффективность имеют первостепенное значение.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, превосходную тепловую стабильность и надежную защиту электростатического разряда (ESD). MOSFET расположен в компактном пакете SOT-26, идеально подходящем для ограниченных космических конструкций. Он работает в широком диапазоне температуры от -55 ° C до +150 ° C, обеспечивая надежную производительность в экстремальных условиях.

Это устройство находит широкое использование в различных приложениях, таких как преобразователи DC-DC, нагрузочные переключатели и цепи управления двигателем. Его низкий RDS (ON) и высокая эффективность делают его особенно хорошо подходящим для портативной электроники, автомобильных систем и промышленного оборудования, где управление питанием имеет решающее значение. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в Будущее.