Номер детали производителя : | NE3515S02-T1C-A |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | CEL (California Eastern Laboratories) |
Состояние на складе : | 350 pcs Stock |
Описание : | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NE3515S02-T1C-A(1).pdfNE3515S02-T1C-A(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NE3515S02-T1C-A |
---|---|
производитель | CEL (California Eastern Laboratories) |
Описание | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 350 pcs |
Спецификация | NE3515S02-T1C-A(1).pdfNE3515S02-T1C-A(2).pdf |
Напряжение - испытания | 2V |
Напряжение - Номинальный | 4V |
Тип транзистор | HFET |
Поставщик Упаковка устройства | S02 |
Серии | - |
Выходная мощность | 14dBm |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 4-SMD, Flat Leads |
Другие названия | NE3515S02-T1C-A-ND NE3515S02-T1C-ATR NE3515S02T1CA |
Коэффициент шума | 0.3dB |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Усиление | 12.5dB |
частота | 12GHz |
Подробное описание | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02 |
Текущий рейтинг | 88mA |
Ток - Тест | 10mA |
Номер базового номера | NE3515 |
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
HJ-FET NCH 10DB S02
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
HJ-FET NCH 10DB S02