CY7C1514KV18-333BZI

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN CY7C1514KV18-3333BZI, к счастью, вы попадете в нужно Высокопроизводительный, низкопроизводительный 16-Мбит (2 мс 8) Синхронный взрыв статический случайный доступ Память (SRAM). Это устройство работает с напряжением питания 3,3 В и оснащена тактовой частотой -333 МГц, обеспечивая быстрое время доступа к данным. Его ключевые характеристики включают быстрые циклы чтения/записи, низкую задержку и поддержку режимов взрыва, которые повышают эффективность поиска последовательных данных. SRAM также включает в себя расширенные функции энергосбережения, такие как спящий режим, чтобы минимизировать потребление энергии в течение периодов простоя.

Преимущества этого IC включают его надежную производительность в требовательных приложениях, требующих высокоскоростной обработки данных и хранения данных. Он предлагает надежную работу в широком температурном диапазоне, что делает его подходящим для промышленных сред. Кроме того, небольшой пакет BGA сохраняет пространство для платы, сохраняя при этом высокую надежность. Обычные приложения включают сетевое оборудование, телекоммуникационную инфраструктуру и высокопроизводительные вычислительные системы, где быстрый, надежный доступ к памяти имеет решающее значение. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.