Номер детали производителя : | SI1912EDH-T1-E3 |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Состояние на складе : | 1880 pcs Stock |
Описание : | MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI1912EDH-T1-E3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI1912EDH-T1-E3 |
---|---|
производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Описание | MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 1880 pcs |
Спецификация | SI1912EDH-T1-E3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA (Min) |
Поставщик Упаковка устройства | SC-70-6 (SOT-363) |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V |
Мощность - Макс | 570mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Другие названия | SI1912EDH-T1-E3TR SI1912EDHT1E3 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET Характеристика | Logic Level Gate |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20V |
Подробное описание | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.13A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.13A |
Номер базового номера | SI1912 |
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6