Номер детали производителя : | SI5511DC-T1-E3 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Состояние на складе : | 5085 pcs Stock |
Описание : | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI5511DC-T1-E3.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI5511DC-T1-E3 |
---|---|
производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Описание | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5085 pcs |
Спецификация | SI5511DC-T1-E3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Поставщик Упаковка устройства | 1206-8 ChipFET™ |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Мощность - Макс | 3.1W, 2.6W |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 8-SMD, Flat Lead |
Другие названия | SI5511DC-T1-E3TR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 435pF @ 15V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
Тип FET | N and P-Channel |
FET Характеристика | Logic Level Gate |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
Подробное описание | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A, 3.6A |
Номер базового номера | SI5511 |
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8