SIP21106DR-12-E3

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN SIP21106DR-12-E3, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. SIP21106DR-12-E3 от Vishay Siliconix-это высокопроизводительный MOSFET режима для улучшения N-канала в компактном стандартном пакете. Предназначенное для эффективных приложений переключения питания, это устройство предлагает низкую настойчивости на воздействии (RDS (ON)) и заряд затвора (QG), обеспечивая минимальные потери проводимости и переключения. Надежная конструкция SIP21106DR-12-E3 поддерживает высокую возможность обработки тока и превосходные тепловые характеристики, что делает его идеальным для требовательных приложений, таких как преобразователи DC-DC, управление двигателем и системы управления аккумуляторами.

Ключевые особенности включают максимальное напряжение источника (VDS) 60 В, непрерывный ток дренажа (ID) до 48A и сверхнизкий RDS (ON) 2,5 мД при VGS = 10 В. Его небольшая площадь и низкий профиль позволяют экономить пространство, сохраняя при этом высокую надежность и долговечность. Упаковка, совместимая с ROHS, обеспечивает экологическое дружелюбие. Этот MOSFET хорошо подходит для автомобильной, промышленной и потребительской электроники, где эффективность и производительность имеют решающее значение. Пожалуйста, нажмите «Подать запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.