Номер детали производителя : | ISL9R860PF2 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Fairchild/ON Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ISL9R860PF2 |
---|---|
производитель | Fairchild/ON Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.4 V @ 8 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F-2L |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Stealth™ |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
Упаковка / | TO-220-2 Full Pack |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 430V 10A 130W TO252AA
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
IGBT 430V 10A 130W TO252AA
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2