Номер детали производителя : | ISL9R860S3ST_NL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Fairchild/ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 583 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ISL9R860S3ST_NL |
---|---|
производитель | Fairchild/ON Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 583 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.4 V @ 8 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB (D²PAK) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Stealth™ |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
IGBT 430V 10A 130W TO220AB
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
IGBT 430V 10A 130W TO252AA
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
IGBT 430V 10A 130W TO252AA
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
IGBT, 430V, 10A, 1.95V, 200MJ, D