| Номер детали производителя : | MURTA30060 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MURTA30060.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MURTA30060 |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | MURTA30060.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 150 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | Three Tower |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 150A |







DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER
DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER