| Номер детали производителя : | IS46LQ32640AL-062TBLA2 | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Состояние на складе : | - |
| Описание : | Automotive (Tc: -40 to +105C), 2 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IS46LQ32640AL-062TBLA2.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IS46LQ32640AL-062TBLA2 |
|---|---|
| производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Описание | Automotive (Tc: -40 to +105C), 2 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | IS46LQ32640AL-062TBLA2.pdf |
| Время цикла записи - слово, страница | 18ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Поставщик Упаковка устройства | 200-TFBGA (10x14.5) |
| Серии | Automotive, AEC-Q100 |
| Упаковка / | 200-TFBGA |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 2Gbit |
| Организация памяти | 64M x 32 |
| Интерфейс памяти | LVSTL |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 1.6 GHz |
| Время доступа | 3.5 ns |







Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G
Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Automotive (Tc: -40 to +105C), 2
Automotive (Tc: -40 to +105C), 2
Automotive (Tc: -40 to +105C), 2
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA