Номер детали производителя : | IGLD60R190D1AUMA1 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IGLD60R190D1AUMA1 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
Vgs (макс.) | -10V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-LSON-8-1 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Рассеиваемая мощность (макс) | 62.5W (Tc) |
Упаковка / | 8-LDFN Exposed Pad |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
GAN HV
GAN HV PG-LSON-8
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
GAN HV
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
GAN HV
MOSFET N-CH 550V TO-220
GAN HV
GANFET N-CH
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC