IGW50N65H5FKSA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IGW50N65H5FKSA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. IGW50N65H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5H5 Этот чип может похвастаться N-канальной технологией MOSFET 650 В, предлагая низкое сопротивление в штате (RDS (ON)) для превосходной эффективности в операциях с высоким током. Его интегрированный драйвер затвора обеспечивает быстрые скорости переключения, в то время как его надежная конструкция обеспечивает высокую надежность и тепловую стабильность.

Ключевые функции включают максимальное напряжение источника 650 В, низкий RDS (ON) типичный 5 МОм и высокая способность тока пика. IGW50N65H5FKSA1 также интегрирует механизм защиты для условий перегрузки и обороты.

Преимущества лежат в его компактном следе, энергоэффективности и повышенной производительности системы. Он особенно подходит для использования в таких приложениях, как промышленные моторные приводы, солнечные инверторы и энергоснабжения AC-DC, где важны высокая плотность мощности, эффективность и надежность.

Таким образом, Infineon IGW50N65H5FKSA1-это передовый MOSFET, обеспечивающий оптимальную производительность, эффективность и надежность в сценариях по управлению энергетикой. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.