IKW20N60H3FKSA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IKW20N60H3FKSA1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. IKW20N60H3FKSA1-это высокопроизводительный MOSFET, производимый инфинеонами, разработанными для эффективных приложений. Этот IC -чип имеет рейтинг напряжения 600 В и тока емкости 20А, что обеспечивает надежную производительность в требующих электрических средах. Его низкое сопротивление в штате (RDS (ON)) сводит к минимуму потери мощности, повышая общую эффективность системы. Устройство использует технологию Trench Gate, которая улучшает тепловую стабильность и уменьшает потери переключения.

Этот MOSFET особенно подходит для промышленных и автомобильных применений, таких как управление двигателем, преобразователи DC-DC и солнечные инверторы. Его быстрая скорость переключения и превосходное тепловое управление делают его идеальным для высокочастотных операций, где надежность и эффективность имеют решающее значение. Кроме того, IKW20N60H3FKSA1 предлагает расширенные возможности лавины и короткого замыкания, обеспечивая превосходную защиту от переходных перегрузков. Благодаря своему компактному дизайну и расширенной упаковке, этот компонент поддерживает дизайн с ограниченными пространством, сохраняя при этом высокие стандарты.