| Номер детали производителя : | IPI200N15N3 G |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Состояние на складе : | 5175 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IPI200N15N3 G.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IPI200N15N3 G |
|---|---|
| производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Описание | MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 5175 pcs |
| Спецификация | IPI200N15N3 G.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO262-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Другие названия | IPI200N15N3 G-ND IPI200N15N3G |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1820pF @ 75V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150V |
| Подробное описание | N-Channel 150V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |







MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3

N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3