IPP037N08N3GE8181XKSA1

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN IPP037N08N3GE8181XKSA1 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Он имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 3,7 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность применения в преобразовании питания. Устройство работает в пределах диапазона напряжения до 80 В, что делает его подходящим для различных промышленных и автомобильных систем.

Ключевые преимущества включают в себя надежный конструкцию с высокими возможностями всплесков, превосходные тепловые характеристики и низкий заряд, что облегчает быстрые скорости переключения и уменьшенные потери переключения. Этот MOSFET также поддерживает высокие текущие возможности, что обеспечивает эффективное управление питанием в требовательных средах.

Обычные приложения охватывают управление двигателем, преобразователи DC-DC, системы управления батареями и решения для возобновляемых источников энергии, такие как солнечные инверторы. Его компактный пакет DSO-8 оптимизирует использование пространства при сохранении превосходных электрических характеристик, идеально подходит для электроники в следующем поколении, требующей как производительности, так и надежности. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.