IRG8CH42K10F

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник IRG8CH42K10F, то вы попали по адресу! Наша компания RX ELECTRONICS является дистрибьютором этого компонента по всему миру. Кроме того, мы также поставляем электронные компоненты различных известных брендов. IRG8CH42K10F — это высокопроизводительный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies, разработанный для требовательных приложений переключения мощности. Созданный на основе передовой технологии TRENCHSTOP™ 5, он имеет запирающее напряжение 1200 В и оптимизированный компромисс между потерями проводимости и переключения, обеспечивая высокую эффективность и тепловые характеристики. Устройство обеспечивает превосходную устойчивость к короткому замыканию, низкий уровень электромагнитных помех (EMI) и повышенную надежность в жестких условиях переключения. Он поставляется в компактном корпусе SMD (TO-263-7), позволяющем автоматизировать сборку и экономить место. Ключевые характеристики включают высокий номинальный ток, встроенный датчик температуры и отрицательный температурный коэффициент для упрощения параллельного подключения. Типичные области применения включают промышленные приводы, системы возобновляемых источников энергии, такие как солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП) и инфраструктуру зарядки электромобилей. Благодаря прочной конструкции и превосходным динамическим характеристикам IRG8CH42K10F идеально подходит для систем преобразования энергии нового поколения, требующих эффективности, надежности и компактного форм-фактора. Для получения дополнительной информации и подробностей свяжитесь с нашим отделом продаж по адресу info@rxelectronics.com. Мы к вашим услугам в любое время!