IRG8P08N120KD-EPBF

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. IRG8P08N120KD-EPBF является высокопроизводительным устройством MOSFET от международного ректатора, известного своими расширенными решениями управления электроэнергией. Этот n-канальный MOSFET имеет низкое сопротивление в гостях 8 МОм типичное, обеспечивающее эффективное рассеяние мощности и превосходную производительность переключения. Его прочная структура позволяет обеспечить высокие возможности обработки тока, до 120A, что делает ее подходящим для требовательных приложений.

Ключевые характеристики включают максимальное напряжение в дренажном источнике 1200 В, обеспечивая превосходную толерантность к напряжению, и быстрая скорость переключения, повышая отзывчивость системы. Пакет EPBF предлагает повышенные тепловые характеристики, позволяя чипе работать в требующих тепловых средах без компромисса.

Преимущества IRG8P08N120KD-EPBF лежат в его сочетании высокой эффективности, надежности и компактной упаковки. Он идеально подходит для использования в системах преобразования питания, таких как преобразователи DC-DC, двигательные диски и приложения для возобновляемой энергии, где надежность и плотность мощности имеют решающее значение.

Таким образом, IRG8P08N120KD-EPBF является передовым MOSFET, предназначенным для оптимальной эффективности питания, надежной работы и универсальности в мощных приложениях. Цена и время заказа для IRG8P08N120KD-EPBF в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте ваш запрос на Мы, наша команда по продажам предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.