IRPP3637-12A

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания RX ELECTRONICS. предлагает широкий ассортимент качественных электронных компонентов напрямую от всемирно известных производителей. IRPP3637-12A от Infineon Technologies — это SiC MOSFET с напряжением 1200 В и сопротивлением 36 мОм, предназначенный для высокоэффективного преобразования энергии. Он отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), возможностью быстрого переключения и отличными тепловыми характеристиками благодаря материалу из карбида кремния. Это устройство обеспечивает снижение потерь на проводимость и переключение, обеспечивая более высокую эффективность системы и плотность мощности. Его прочная конструкция поддерживает работу при повышенных температурах и обеспечивает превосходную надежность в суровых условиях. Ключевые преимущества включают повышенную энергоэффективность, меньшие по размеру пассивные компоненты и снижение требований к охлаждению. Типичные области применения включают приводы промышленных двигателей, системы возобновляемых источников энергии (например, солнечные инверторы), инфраструктуру зарядки электромобилей и высокочастотные преобразователи постоянного тока в постоянный ток, где эффективность и компактная конструкция имеют решающее значение. Для получения дополнительной информации и подробностей свяжитесь с нашим отделом продаж по адресу info@rxelectronics.com. Мы к вашим услугам в любое время!