SGB10N60AATMA1

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-обеспечивает огромный выбор высококачественных электронных компонентов. SGB10N60AATMA1 представляет собой высокопроизводительный, 600 В N-канальный мощный MOSFET, производимый Infineon Technologies. Это устройство специально разработано для приложений, требующих эффективных возможностей управления питанием и переключения. Он имеет ультра-низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) 0,45 Ом при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение общей эффективности системы. SGB10N60AATMA1 поддерживает высокие текущие нагрузки с непрерывным канатным током (ID) 10A, что делает его подходящим для требования промышленной и автомобильной среды.

Этот MOSFET размещен в пакете TO-252 (DPAK), предлагая превосходные тепловые характеристики и простоту интеграции в компактные конструкции. Его надежная конструкция обеспечивает надежную работу в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +150 ° C). Ключевые приложения включают в себя преобразователи DC-DC, схемы управления двигателем и источники питания, где высокая эффективность и надежность имеют первостепенное значение. Расширенные производственные процессы Infineon гарантируют превосходное качество и согласованность, что делает SGB10N60AATMA1 достоверного выбора для инженеров, ищущих решения для управления электроэнергией высшего уровня. Цена и время по выполнению SGB10N60AATMA1 В зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте свой запрос нам, группа продаж будет Предоставьте вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.