| Номер детали производителя : | MRF6V2010NBR1 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 4742 pcs Stock |
| Описание : | FET RF 110V 220MHZ TO272-2 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MRF6V2010NBR1.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MRF6V2010NBR1 |
|---|---|
| производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
| Описание | FET RF 110V 220MHZ TO272-2 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Кол-во в наличии | 4742 pcs |
| Спецификация | MRF6V2010NBR1.pdf |
| Напряжение - испытания | 50V |
| Напряжение - Номинальный | 110V |
| Тип транзистор | LDMOS |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-272-2 |
| Серии | - |
| Выходная мощность | 10W |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-272BC |
| Другие названия | 935319274528 MRF6V2010NBR1-ND MRF6V2010NBR1TR |
| Коэффициент шума | - |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Усиление | 23.9dB |
| частота | 220MHz |
| Подробное описание | RF Mosfet LDMOS 50V 30mA 220MHz 23.9dB 10W TO-272-2 |
| Текущий рейтинг | - |
| Ток - Тест | 30mA |
| Номер базового номера | MRF6V2010 |







FET RF 110V 220MHZ TO272-4
FET RF 110V 220MHZ TO270-2
RF Power Field-Effect Transistor
FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
FET RF 100V 1.4GHZ NI780S
FET RF 110V 220MHZ TO-272-2
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR