MRF6V2150NR1

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN MRF6V2150NR1 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов в RX Electronics. MRF6V2150NR1, изготовленный NXP USA Inc. RF (радиочастотная) LDMOS (полупроводник с оксидом в боковом диффузии), предназначенный для применений усиления мощности. Это устройство работает оптимально в диапазоне частот от 1,8 до 2,7 ГГц, что делает его идеальным для использования в беспроводной инфраструктуре, включая базовые станции 4G/5G и радиосвязи с точки зрения. С максимальной способностью обработки мощности 150 Вт, MRF6V2150NR1 обеспечивает исключительную эффективность и прирост, обеспечивая надежную производительность даже при требовательных условиях. Его надежная конструкция в сочетании с расширенными функциями теплового управления обеспечивает непрерывную работу при высоких уровнях мощности, сохраняя при этом низкий уровень шума и искажения. Компактный след и простота интеграции MRF6V2150NR1 делает его главным выбором для инженеров, стремящихся расширить возможности своих радиочастотных систем без ущерба для размера или надежности. Цена и время выполнения заказа для MRF6V2150NR1 в зависимости от количества, необходимо Наша команда по продажам предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.