MRF8VP13350GNR3

Подробности продукции

It is of utmost importance to find a reliable source for the PN MRF8VP13350GNR3, luckily you've come to the right place, you will get all parts in new and original condition at RX ELECTRONICS.The MRF8VP13350GNR3 from NXP USA Inc. is a high-performance RF power transistor designed for use in commercial and industrial applications, including broadcast transmitters and base station amplifiers. Это устройство LDMOS (полупроводник оксида в боковом диффузии) работает в пределах диапазона частот VHF-L-диапазона, обеспечивая исключительную эффективность и линейность. Транзистор поддерживает уровни выходной мощности до 350 Вт, что делает его идеальным для требования применений РЧ. Его надежный дизайн обеспечивает надежную работу в различных условиях, в то время как передовое тепловое управление повышает долговечность и производительность. Благодаря компактному пакету, подходящему для конструкций с ограниченным пространством, MRF8VP13350GNR3 предлагает легкую интеграцию в современные радиочастотные системы. Он также имеет отличные характеристики усиления, что снижает необходимость в дополнительных этапах усиления. Этот продукт согласуется с приверженностью NXP предоставлению передовых полупроводниковых решений, которые удовлетворяют развивающиеся потребности в телекоммуникационных и вещательных отраслях. Пожалуйста, любезно нажмите «Подать запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.