Номер детали производителя : | PDTD113ZS,126 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 11250 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | PDTD113ZS,126.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | PDTD113ZS,126 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 11250 pcs |
Спецификация | PDTD113ZS,126.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | TO-92-3 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 1 kOhms |
Мощность - Макс | 500mW |
упаковка | Tape & Box (TB) |
Упаковка / | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Другие названия | 934059145126 PDTD113ZS AMO PDTD113ZS AMO-ND |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 500mA |
Номер базового номера | PDTD113 |
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
50 V, 500MA NPN RESISTOR-EQUIPPE
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
PDTD113ZT-Q/SOT23/TO-236AB
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
PDTD113ZT-Q/SOT23/TO-236AB
TRANS PREBIAS NPN 0.425W