Номер детали производителя : | RJK1001DPN-E0#T2 | Статус RoHS : | Непригодный |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Renesas Electronics America | Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RJK1001DPN-E0#T2 |
---|---|
производитель | Renesas Electronics America |
Описание | MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Непригодный |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | - |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220AB |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 40A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 200W (Tc) |
Упаковка / | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 10 pF @ 10 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Ta) |
MOSFET N-CH 100V 70A TO220
MOSFET N-CH 100V 70A TO220FPA
MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
IGBT
MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
IGBT
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
MOSFET N-CH 80V LFPAK