Номер детали производителя : | MT3S111P(TE12L,F) |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | - |
Описание : | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MT3S111P(TE12L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 6V |
Тип транзистор | NPN |
Поставщик Упаковка устройства | PW-MINI |
Серии | - |
Мощность - Макс | 1W |
Упаковка / | TO-243AA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Коэффициент шума (дБ Typ @ F) | 1.25dB @ 1GHz |
Тип установки | Surface Mount |
Усиление | 10.5dB |
Частота - Переход | 8GHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | MT3S111 |
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP