| Номер детали производителя : | MT3S111TU,LF |
|---|---|
| Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Состояние на складе : | 9020 pcs Stock |
| Описание : | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MT3S111TU,LF |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 9020 pcs |
| Спецификация | |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 6V |
| Тип транзистор | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства | UFM |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 800mW |
| Упаковка / | 3-SMD, Flat Lead |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Коэффициент шума (дБ Typ @ F) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Тип установки | Surface Mount |
| Усиление | 12.5dB |
| Частота - Переход | 10GHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базовый номер продукта | MT3S111 |







RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM

RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM