Номер детали производителя : | RN1101MFV,L3F | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | 5250 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN1101MFV,L3F.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1101MFV,L3F |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5250 pcs |
Спецификация | RN1101MFV,L3F.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | VESM |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 4.7 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 4.7 kOhms |
Мощность - Макс | 150mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SOT-723 |
Другие названия | RN1101MFV,L3F(B RN1101MFV,L3F(T RN1101MFVL3FTR |
Тип установки | Surface Mount |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RES 43.2K OHM 0.01% 1/10W 0805
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER