Номер детали производителя : | RN1418,LF |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | 184 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1418,LF |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 184 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | S-Mini |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 47 kOhms |
Мощность - Макс | 200 mW |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250 MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
Базовый номер продукта | RN1418 |
RF DIODE PIN 50V VMD2
DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10KOHM,
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
PIN DIODE 50V 100MA VMN2M
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
CMC 82MH 500MA 2LN TH
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47KOHM,