Номер детали производителя : | RN1911,LF(CT |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | - |
Описание : | NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1911,LF(CT |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | US6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 10kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN1911 |
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6