Номер детали производителя : | RN1910FE(T5L,F,T) | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | - |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1910FE(T5L,F,T) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 4.7kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN1910 |
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6