| Номер детали производителя : | RN1962FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Состояние на складе : | 3815 pcs Stock |
| Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | RN1962FE(TE85L,F)(1).pdfRN1962FE(TE85L,F)(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RN1962FE(TE85L,F) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 3815 pcs |
| Спецификация | RN1962FE(TE85L,F)(1).pdfRN1962FE(TE85L,F)(2).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 10kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 10kOhms |
| Мощность - Макс | 100mW |
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Частота - Переход | 250MHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базовый номер продукта | RN1962 |







TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I