Номер детали производителя : | RN1961FE(TE85L,F) | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | 4548 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN1961FE(TE85L,F).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1961FE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4548 pcs |
Спецификация | RN1961FE(TE85L,F).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 4.7 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 4.7 kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Другие названия | RN1961FE(TE85LF)TR RN1961FETE85LF |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I